915nmハイパワー半導体レーザーシステム
パラメータ(25℃)
典型的 | ユニット | |
光学パラメータ | ||
出力電力 | 100 | W |
パワーレンジ | 0~100 | W |
しきい電流 | 1.08 | A |
動作電流 | 15.5 | A |
動作電圧 | 11.8 | V |
最小パルス幅 | 50 | マイクロ秒 |
最大入力繰り返し率 | 10K | Hz |
立ち上がり時間 | <15 | マイクロ秒 |
最大消費電力 | <300 | W |
中心波長 | 915±10 | nm |
照準光 | 650 | nm |
出力電力 | 2 | mw w |
出力電力の不安定性 | <3%@24h | |
入力交流電圧 | 200-240(50HZ) | V |
繊維パラメータ | ||
ファイバーコア径 | 200 | μm |
金属保護管径 | 7 | mm
|
開口数 | 0.22 | - |
繊維長 | 1-5 | m |
コネクタ | SMA905-SMA905 | |
冷却モード | 空冷 | |
関数 | ||
RS232:シリアルポート調整モード | リモコン | |
ローカル コントロール | ボタンとタッチ操作 | |
PD 検出閉ループ フィードバック | PD電流を超えた場合、システムはレーザー発振を停止します | |
温度検出閉ループフィードバック | 過熱すると、システムはレーザーを停止します | |
AD制御モード | 0-10V アナログ変調 | |
作業モード | CW/プラス |
動作環境と労働条件
寸法 (mm)
分 | マックス | ユニット | |
動作温度 | -10 | 40 | ℃ |
動作相対湿度 | - | 75 | % |
保管温度 | -20 | 80 | ℃ |
保管相対湿度 | - | 90 | % |
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